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AZ91D鎂合金微弧氧化局部燒蝕是怎么引起的?

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速度極高的運動物體在熾熱氣體作用下,表面材料熔解、消失和變形的現象被成為“燒蝕”。

鎂合金

鎂合金金相組織圖片

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做鎂合金微弧氧化實驗過程中,會不會經常出現基體的局部燒蝕現象???如果有,是什么原因嗎?用的電解液是NaSiO3+KOH,電流密度在5A/dm2時,工作一個小時就燒蝕了。我用的是單脈沖電源,一個小時的氧化膜有30μm左右,而且Na2SiO3 20g/L+KOH 2g/L,如果時間少一點,雖然沒有燒蝕,但是氧化膜耐蝕性也很差。

會不會是電解液成分配比沒有優化,另外不知道你用的是什么樣的電源,如果是脈沖電源的話應該沒有問題,再者不知道你想制備多厚的膜層,或許膜層到一定的厚度后比較容易燒蝕,按照我的經驗5A/dm2的電流密度,氧化1小時,制備的氧化膜應該很厚。

進一步優化電解液成分及配比,改善電解液的分散性,電解液導電均勻才不會發生燒蝕現象,按照你的試驗條件膜層厚度應該可以達到60微米以上。

NaOH或K的濃度不要太高,是關鍵,電流密度不要太大,相對氧化時間加長即可。

再請問一下如果用雙脈沖模式會不會好一些???如果可以,電參數的正負比多少比較合適???

一般設置-1吧,具體要自己看情況而定,局部腐蝕一般是電火花擊穿所致,因此,電流密度和電壓不可過大,HO-離子濃度不可過高,想要膜層厚點,可相對延長氧化時間即可

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